- 據《日經亞洲》報道，日本研究機構Global Net數據顯示，2025年全球芯片設備廠商前20強中有3家中國企業，較2022年美國出口限制前新增2家。這三家公司分別是北方華創、中微公司和上海微電子。值得注意的是，若將范圍擴大至排名前30名的企業，還將新增兩家中國企業：盛美上海和華海清科。北方華創、中微、上海微、盛美上海、華海清科上榜TOP30這一變化既展現了國產設備凸顯群體崛起態勢，也印證了美國出口管制未達遏制目的，反而倒逼中國半導體供應鏈自主化加速，激發了本土產業韌性。北方華創具體排名中，北方華創的排名
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- 全球最大的先進芯片荷蘭制造商ASML在公布其銷售額連續第十三年實現增長后，CEO克里斯托夫·富凱（Christophe Fouquet）在聲明中表示，計劃裁減約1700個工作崗位，作為其技術和IT運營重組的一部分。此次裁員人員主要涉及管理層，人數約占員工總數的4%，大部分裁員將在荷蘭進行，美國也有部分職位被裁減。ASML表示，一些領導職位可能不再需要，同時將創建新的工程職位以支持正在進行和未來的項目。“雖然這將使一些受影響的同事能夠轉移到新的崗位，但我們必須承認，有些人將因此離開阿斯麥公司”。此舉旨在加強
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- 三星電子將首次在美國泰勒晶圓廠推出“極紫外（EUV）薄膜”，這是一種提升先進半導體工藝生產力的關鍵組件。此前尚不清楚是否會引入，但通過訂購關鍵設備幾乎確認了申請。根據22日的行業報道，三星電子已在美國德克薩斯州泰勒工廠訂購極紫外涂層設備。FST將收到價值250億韓元的極紫外膜剝離與附著設備及檢驗設備訂單。極紫外膜是安裝在光罩上的超薄保護元件，用于曝光過程。半導體將光體現在帶有預先繪制電路的光罩上，并被嵌入晶圓上。通過施加極紫外膜，可以防止細顆粒和污染物粘附光罩表面，從而減輕產率劣化。為了在暴露設備中使用極
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- 隨著計算技術的進步，越來越多的先進芯片應運而生。最新一代 3 納米和 2 納米制程芯片的尺寸極小，傳統光源波長已無法在如此精細的尺度上實現可靠的圖形光刻。這一挑戰并非新題 —— 半導體行業長期以來一直使用深紫外光刻（DUV）技術在硅片上進行光刻加工。但要實現最先進芯片設計的納米級精度，就需要波長更短的光源。這種光源及對應的光刻技術被稱為極紫外光刻（EUV）。中國 EUV 原型機提前問世圖注：更短、更精準、更纖?。杭夹g的巨大飛躍，蔡司（ZEISS）數據顯示，EUV 技術制造的結構精度達 13.5 納米，比人
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- 中國朝向國產紫外真空光刻能力的漫長進程似乎正在縮小，近期發展顯示進展速度超乎預期。據路透社報道，消息人士稱中國已組裝了一臺使用舊ASML系統組件的EUV原型機。正如報道所示，消息人士稱中國政府目標是在2028年前生產使用該原型機的實用芯片，盡管2030年被視為更現實的目標。原型機的存在表明，中國距離半導體自給自足可能比此前預期的更近數年。報道援引消息人士稱，原型機于2025年初完成，目前正在進行測試。報告補充說，雖然該機器已運行并具備極紫外光的能力，但尚未生產出可工作的芯片。據報道，前ASML工程師參與了
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- 全球光刻機巨頭阿斯麥（ASML）首席執行官克里克里斯托夫·富凱（Christophe Fouquet）在專訪時，談到了被禁止向中國出口所有EUV設備及最先進的深紫外（DUV）光刻設備，就當前西方對華光刻機出口限制政策，拋出了一番充滿矛盾的“技術制衡論”，引發行業廣泛關注。眼下，阿斯麥正面臨嚴苛的出口管制約束：被禁止向中國出口所有極紫外（EUV）光刻設備，以及技術最先進的深紫外（DUV）光刻設備。他重申其觀點，認為“應向中國適度輸出技術以防其自主研發形成競爭力”；同時，在他看來在對華技術出口限制問題上，西方
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- 近年來，首次直接解決了EUV光刻中二次電子噪聲的統計及其對缺陷概率的影響[1]。在本文中，我們將考慮一些更新的 EUV 抗蝕劑模糊模型，包括化學放大 （CAR） 和金屬氧化物 （MOR） 類型。首先，讓我們回顧一下推導 EUV 隨機缺陷概率的過程，同時考慮二次電子噪聲。光子吸收的特征是經典的分裂或變薄泊松分布[2]。假設每個吸收的EUV光子釋放的電子數遵循整數的均勻分布作為概率質量函數[1]。當考慮電子散射時，由此產生的有效“模糊”將嘈雜的光子吸收曲線替換為以模糊比例參數為特征的平滑曲線。然而，這只會更新
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電子噪聲 抗蝕劑 模糊模型 EUV 缺陷密度
- 目前，生產尖端半導體必不可少的EUV（極紫外）光刻設備由荷蘭ASML獨家供應，而臺積電2nm工藝就是利用現有的EUV設備實現晶圓的大規模量產，并保持較高的良率。但隨著推進到更先進的次2nm節點 —— 即1.4nm與1nm（分別代號A14與A10）—— 制造工藝將面臨更多技術瓶頸。理論上，這些問題可以通過采購ASML的最先進High-NA EUV設備來解決，但最新消息稱臺積電選擇的方向并非購買新設備，而是轉向使用光掩模薄膜（Photomask Pellicles）。什么是High-NA光刻機？從早期的深紫外
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臺積電 ASML High-NA EUV 2nm
- 荷蘭半導體設備巨頭、芯片制造光刻機的主要供應商 ASML Holding NV 于 2025 年 10 月 15 日發布了 2025 年第三季度財報。結果顯示，在人工智能需求的推動下，訂單量強勁，但也對 2026 年對中國的銷售額將大幅下降發出了嚴厲警告。雖然該公司試圖向投資者保證整體增長將保持穩定，但這一消息凸顯了芯片行業不斷升級的地緣政治緊張局勢。以下是主要亮點的細分。財務業績ASML 公布了穩健的第三季度業績，盡管凈利潤持平，但預訂量超出預期：凈銷售額：77 億歐元，同比增長 8%，但略低于分析師預
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ASML EUV 芯片工具
- 據《韓國經濟日報》報道，據報道，三星將于今年晚些時候收到其首款高數值孔徑 （high-NA） EUV 掃描儀——Twinscan EXE：5200B，隨后將于 2026 年上半年推出第二臺掃描儀。報告補充說，雖然該公司已經在其華城市園區運營了一種研究用途的高 NA EUV 工具，但新系統將標志著其首次旨在大規模生產的收購。報告指出，競爭對手臺積電目前正在測試該系統的研發版本，但尚未將其部署用于商業規模制造。報道援引消息人士的話稱，SK海力士在9月份證實已經訂購了生產級高NA EUV系統。據報道援引消息人士
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- 荷蘭半導體設備制造商ASML第三季訂單表現優于分析師預期，并表示明年銷售額將至少與2025年持平，主要受惠于全球企業大規模投資AI領域、對芯片制造設備的需求。同時，ASML也警告說，明年來自中國的需求可能大幅下滑。ASML發布了2025年第三季度財報，財報顯示第三季度實現凈銷售額75億歐元，凈利潤21億歐元，毛利率為51.6%，整體表現符合此前預期。更值得關注的是，本季度新增訂單金額達到54億歐元，其中EUV（極紫外光刻）訂單高達36億歐元，占比超過三分之二，充分反映出全球半導體制造商對先進制程光刻設備的
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- 據Tom's hardware報道，臺積電（TSMC）作為全球最大的先進制程晶圓代工廠，不僅擁有著全球最先進的制程工藝，也擁有著數量最多的ASML極紫外光（EUV）光刻機。2019年首次于華為麒麟9000處理器導入EUV后，臺積電持續控制著全球超過42%~56%的EUV光刻機裝機量，經過多年的積累，臺積電目前已經累積了約200多臺EUV光刻機，在2024~2025年還新增了60多臺，以支撐先進制程擴產需要。自2019年以來，臺積電通過自身的系統級優化及自研EUV光罩保護膜（Pellicle，保護光
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臺積電 EUV 晶圓 Pellicle 光罩保護膜
- 根據 The Elec 報道，援引行業消息人士稱，三星首次外包光掩模——芯片制造中至關重要的組件。報道稱，三星據說正在外包低端光掩模用于內存芯片，這表明其策略是將資源轉向 ArF 和 EUV 掩模生產。本月早些時候，三星據報道向美國光掩模制造商 Photronics 的子公司 PKL 訂購了用于內存生產的 i-line 和 KrF 光掩模。報道補充說，日本的 Tekscend Photomask 也在評估中，預計很快將收到訂單。報道指出，由于這些是低端芯片的掩模，三星認為它們泄露技術的
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- 臺積電正在重新利用其位于新竹科學園的舊的、已折舊的 8 英寸 Fab 3 來生產極紫外薄膜，并將這種生產引入內部。EUV 薄膜是一種薄而高度透明的薄膜，拉伸在光掩模上方，以防止顆粒在 EUV 暴露期間接觸掩模。它旨在承受強烈的 EUV 輻射和熱應力，同時最大限度地減少光吸收和波前失真。生產薄膜是一種縮短更換周期的方法，并對組件施加更多控制，在 EUV 環境中，該組件必須保護光掩模免受顆粒影響，同時應對極端暴露條件。與舊的 DUV 工藝不同，EUV 系統使用 400 W 光源和局部加熱運行，掩模溫度接近 1
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- ASML 的 Twinscan EXE:5200N 配備 0.55 NA 鏡頭，實現 8 納米分辨率——而當前 Low-NA EUV 工具的分辨率僅為 13 納米——使得單次曝光下晶體管尺寸縮小 1.7 倍，晶體管密度提高 2.9 倍。雖然 Low-NA 工具可以通過昂貴的多重圖形匹配來達到這一效果，但 High-NA EUV 簡化了光刻步驟，盡管這帶來了新的技術挑戰。鑒于 High-NA EUV 機器的能力，芯片制造商可以避免雙重或三重 EUV 圖形匹配，因此 NXE:5200B 將首先用于快速推進下一
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